Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) y capa así preparada

Título alternativo: Method for preparing a dielectric barrier layer of silicon oxide (SiOx) and a layer prepared in this
Tipo: Patente
Solicitantes:
Abengoa Solar New Technologies, S.A (100%)
Inventores:
Sancho Martinez, Diego
Sánchez Cortezón, Emilio
Menendez Estrada, Armando
Fernández Suarez, Mari Fe
Andrés Menendez, Luis José
Gómez Plaza, David
Sánchez, Pascal
Solicitud
23-09-2013
Concesión
07-01-2016
Familia
ES2532522R2; WO2015040253A1; PCT/ES2014/000150
Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) sobre un sustrato, para lo cual se realiza, una vez limpiado el sustrato, una deposición de una capa de SiOx por la técnica de PECVD y otra deposición de SiOx por el método sol-gel. La composición de recubrimiento (sol) utilizada en la etapa sol-gel es preparada a partir de los siguientes componentes: MTES, entre 30 y 50% en peso; TEOS, entre 7% y 12% en peso; N, N' -DMS, entre 11 y 19% en peso; PEG, entre 19 y 31% en peso; agua destilada, entre 7 y 12% en peso y acido ortofosfórico, entre 0,6% y 0,9% en peso. Una vez preparada la composición de recubrimiento, se deposita y se densifica para formar la capa de óxido correspondiente.
Materia: Química; Metalurgia
CIP: C23C16/00 (2006.01); C01B33/113 (2006.01)