Atomic scale flattening, step formation and graphitization blocking on 6H-and 4H-SiC{0001} surfaces under Si flux

Ferrer Fernández, Francisco Javier ; Moreau, Eleonore; Vignaud, Dominique; Godey, Sylvie; Wallart, Xavier

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2009
Volumen: 24
Número: 12
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus2127-11-2021
wos1927-11-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año (SCIE): 2009

Factor de Impacto (SCIE): 1.253

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE93/246Q2T2D4
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARYSCIE98/214Q2T2D5
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE33/66Q2T2D5

Año:

2011

CiteScore:

2.800

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering140/589Q1T1D3
Materials Chemistry55/233Q1T1D3
Electronic, Optical and Magnetic Materials52/183Q2T1D3
Condensed Matter Physics115/383Q2T1D4

SJR año:

2009

Factor de Impacto:

0.865

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering100/554Q1T1D2
Materials Chemistry54/243Q1T1D3
Electronic, Optical and Magnetic Materials52/177Q2T1D3
Condensed Matter Physics128/386Q2T1D4
No existen datos para la revista de esta publicación.
Agencia Código de Proyecto
ANR (project Xp-Graphene)-
European Union (FEDER)-
Nord-Pas de Calais regional council-
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Ferrer Fernández, Francisco Javier IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
2Moreau, EleonoreIEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
3Vignaud, DominiqueIEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
4Godey, SylvieIEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
5Wallart, XavierIEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)