Graphene growth by molecular beam epitaxy using a solid carbon source

Moreau, E. ; Ferrer, F. J.; Vignaud, D.; Godey, S.; Wallart, X.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2010
Volumen: 207
Número: 2
Páginas: 300 - 303
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus7727-11-2021
wos7227-11-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año (SCIE): 2010

Factor de Impacto (SCIE): 1.472

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARYSCIE87/225Q2T2D4
PHYSICS, APPLIEDSCIE54/118Q2T2D5
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE31/68Q2T2D5

Año:

2011

CiteScore:

2.700

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Materials Chemistry57/233Q1T1D3
Surfaces, Coatings and Films23/91Q1T1D3
Electrical and Electronic Engineering151/589Q2T1D3
Condensed Matter Physics127/383Q2T1D4
Electronic, Optical and Magnetic Materials59/183Q2T1D4
Surfaces and Interfaces17/49Q2T2D4

SJR año:

2010

Factor de Impacto:

0.871

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering95/574Q1T1D2
Materials Chemistry51/241Q1T1D3
Surfaces, Coatings and Films24/108Q1T1D3
Electronic, Optical and Magnetic Materials50/180Q2T1D3
Condensed Matter Physics126/395Q2T1D4
Surfaces and Interfaces21/54Q2T2D4
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# Autor Afiliación
1Moreau, E. IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
2Ferrer, F. J.IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
3Vignaud, D.IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
4Godey, S.IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
5Wallart, X.IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)