Fabrication and Characterization of an Epitaxial Graphene Nanoribbon-Based Field-Effect Transistor

Meng, Nan ; Fernández, J. Ferrer; Vignaud, Dominique; Dambrine, Gilles; Happy, Henri

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2011
Volumen: 58
Número: 6
Páginas: 1594 - 1596
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus2104-12-2021
wos1904-12-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año (SCIE): 2011

Factor de Impacto (SCIE): 2.318

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE34/245Q1T1D2
PHYSICS, APPLIEDSCIE29/125Q1T1D3

Año:

2011

CiteScore:

4.900

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering55/589Q1T1D1
Electronic, Optical and Magnetic Materials23/183Q1T1D2

SJR año:

2011

Factor de Impacto:

1.699

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering29/585Q1T1D1
Electronic, Optical and Magnetic Materials19/177Q1T1D2
No existen datos para la revista de esta publicación.
Agencia Código de Proyecto
National Energy Research-
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Meng, Nan IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
2Fernández, J. FerrerIEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
3Vignaud, DominiqueIEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
4Dambrine, GillesIEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
5Happy, HenriIEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)