Free standing AIN single crystal grown on pre-patterned and in situ patterned 4H-SiC substrates

Yazdi, G. R. ; Vassilevski, K.; Córdoba, J. M.; Gogova, D.; Nikitina, I. P.; Syväjärvi, M.; Odén, M.; Wright, N. G.; Yakimova, R.

Tipo: Ponencia
Año de Publicación: 2010
Volumen: 645-648
Páginas: 1187 -
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus121-01-2023
wos121-01-2023
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año:

2011

CiteScore:

0.500

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
General Materials Science260/393Q3T2D7
Mechanical Engineering318/487Q3T2D7
Mechanics of Materials198/296Q3T3D7
Condensed Matter Physics313/383Q4T3D9

SJR año:

2010

Factor de Impacto:

0.273

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Materials Science (miscellaneous)241/491Q2T2D5
Mechanical Engineering271/543Q2T2D5
Mechanics of Materials190/310Q3T2D7
Condensed Matter Physics278/395Q3T3D8
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Agencia Código de Proyecto
Angpanneforeningen Foundation in Sweden-
UK Engineering and Physical Sciences Research CouncilEP/D068827/1
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Yazdi, G. R. Linköpings universitet (Sweden)
2Vassilevski, K.Newcastle University, United Kingdom (United Kingdom)
3Córdoba, J. M.Linköpings universitet (Sweden)
4Gogova, D.Leibniz-Institut f?r Kristallz?chtung (Germany)
5Nikitina, I. P.Newcastle University, United Kingdom (United Kingdom)
6Syväjärvi, M.Linköpings universitet (Sweden)
7Odén, M.Linköpings universitet (Sweden)
8Wright, N. G.Newcastle University, United Kingdom (United Kingdom)
9Yakimova, R.Linköpings universitet (Sweden)