Dependence of MOSFETs threshold voltage variability on channel dimensions

Couso, C ; Diaz-Fortuny, J; Martin-Martinez, J; Porti, M; Rodriguez, R; Nafria, M; Fernandez, FV; Roca, E; Castro-Lopez, R; Barajas, E; Mateo, D; Aragones, X

Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus215-01-2022
wos215-01-2022
Dimensions
PlumX
Altmetric
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Agencia Código de Proyecto
Generalitat de Catalunya2014SGR-384
Spanish ERDFTEC2013-45638-C3-R
Spanish MINECOTEC2013-45638-C3-R
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Couso, C Autonomous University of Barcelona (Spain)
2Diaz-Fortuny, JAutonomous University of Barcelona (Spain)
3Martin-Martinez, JAutonomous University of Barcelona (Spain)
4Porti, MAutonomous University of Barcelona (Spain)
5Rodriguez, RAutonomous University of Barcelona (Spain)
6Nafria, MAutonomous University of Barcelona (Spain)
7Fernandez, FVUniversidad de Sevilla; Consejo Superior de Investigaciones Cientificas (CSIC) (Spain)
8Roca, EUniversidad de Sevilla; Consejo Superior de Investigaciones Cientificas (CSIC) (Spain)
9Castro-Lopez, RUniversidad de Sevilla; Consejo Superior de Investigaciones Cientificas (CSIC) (Spain)
10Barajas, EPolytechnic University of Catalonia (Spain)
11Mateo, DPolytechnic University of Catalonia (Spain)
12Aragones, XPolytechnic University of Catalonia (Spain)