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A general translinear principle for subthreshold MOS transistors

Serrano-Gotarredona, Maria Teresa ; Linares-Barranco, Bernabe; Andreou, Andreas

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 1999
Volumen: 46
Número: 5
Páginas: 607 - 616
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus7723-03-2024
wos6023-03-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 1999

Journal Impact Factor (JIF): 0,877

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE59/205Q2T1D3

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 1,070

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC79/306Q2T1D374,35
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# Autor Afiliación
1Serrano-Gotarredona, Maria Teresa CSIC - Instituto de Microelectronica de Sevilla (IMS-CNM); Johns Hopkins University (United States)
2Linares-Barranco, BernabeCSIC - Instituto de Microelectronica de Sevilla (IMS-CNM); Johns Hopkins University (United States)
3Andreou, AndreasCSIC - Instituto de Microelectronica de Sevilla (IMS-CNM); Johns Hopkins University (United States)