Analysis of displacement damage effects on MOS capacitors

Fernández-Martínez, P. ; Palomo, F. R.; Hidalgo, S.; Fleta, C.; Campabadal, F.; Flores, D.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2013
Volumen: 730
Número: 1 December 2013
Páginas: 91 - 94
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus704-12-2021
wos704-12-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año (SCIE): 2013

Factor de Impacto (SCIE): 1.316

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGYSCIE9/33Q2T1D3
INSTRUMENTS & INSTRUMENTATIONSCIE28/57Q2T2D5
SPECTROSCOPYSCIE28/44Q3T2D7
PHYSICS, PARTICLES & FIELDSSCIE20/27Q3T3D8

Año:

2013

CiteScore:

2.900

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Instrumentation23/95Q1T1D3
Nuclear and High Energy Physics21/58Q2T2D4

SJR año:

2013

Factor de Impacto:

0.946

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Instrumentation10/96Q1T1D2
Nuclear and High Energy Physics21/58Q2T2D4
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# Autor Afiliación
1Fernández-Martínez, P. CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
2Palomo, F. R.Universidad de Sevilla (Spain)
3Hidalgo, S.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
4Fleta, C.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
5Campabadal, F.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
6Flores, D.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)