Simulation methodology for dose effects in lateral DMOS transistors

Fernández-Martínez, P. ; Palomo, F. R.; Díez, S.; Hidalgo, S.; Ullán, M.; Flores, D.; Sorge, R.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2012
Volumen: 43
Número: 1
Páginas: 50 - 56
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus504-12-2021
wos404-12-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año (SCIE): 2012

Factor de Impacto (SCIE): 0.912

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE144/243Q3T2D6
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGYSCIE58/69Q4T3D9
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Agencia Código de Proyecto
FEDER-
Ministerio de Ciencia e Innovacion, SpainFPA2010-22163-C02-02 (DET4HEP); FPA2009-13234-C04-04
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Fernández-Martínez, P. CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
2Palomo, F. R.Universidad de Sevilla (Spain)
3Díez, S.Lawrence Berkeley National Laboratory (United States)
4Hidalgo, S.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
5Ullán, M.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
6Flores, D.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
7Sorge, R.Institut fur innovative Mikroelektronik (IHP) (Germany)