Global model of a low pressure ECR microwave plasma applied to the PECVD of SiO2 thin films

Yanguas-Gil, A. ; Cotrino, J.; Gonźlez-Elipe, A. R.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2007
Volumen: 40
Número: 11
Páginas: 3411 - 3422
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus1503-12-2022
wos1503-12-2022
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2007

Journal Impact Factor (JIF): 2.200

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, APPLIEDSCIE15/94Q1T1D2

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,620

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
PHYSICS, APPLIED63/165Q2T2D462,12

Año:

2011

CiteScore:

4.400

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Acoustics and Ultrasonics3/36Q1T1D1
Surfaces, Coatings and Films9/91Q1T1D1
Condensed Matter Physics52/383Q1T1D2
Electronic, Optical and Magnetic Materials26/183Q1T1D2

SJR año:

2007

Factor de Impacto:

1.380

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Acoustics and Ultrasonics1/36Q1T1D1
Surfaces, Coatings and Films8/104Q1T1D1
Condensed Matter Physics60/377Q1T1D2
Electronic, Optical and Magnetic Materials21/158Q1T1D2
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# Autor Afiliación
1Yanguas-Gil, A. Universidad de Sevilla; Ruhr-Universitat Bochum (Spain)
2Cotrino, J.Universidad de Sevilla (Spain)
3Gonźlez-Elipe, A. R.Universidad de Sevilla (Spain)