First nucleation steps during deposition of SiO2 thin films by plasma enhanced chemical vapour deposition

Dudeck, D.; Yanguas-Gil, A.; Yubero, F.; Cotrino, J.; Espinós, J. P.; de la Cruz, W.; González-Elipe, A. R. 

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2007
Volumen: 601
Número: 10
Páginas: 2223 - 2231
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus1016-10-2021
wos1016-10-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año (SCIE): 2007

Factor de Impacto (SCIE): 1.855

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE18/61Q2T1D3
CHEMISTRY, PHYSICALSCIE53/111Q2T2D5

SJR año:

2007

Factor de Impacto:

1.134

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Materials Chemistry36/241Q1T1D2
Surfaces, Coatings and Films16/104Q1T1D2
Condensed Matter Physics85/377Q1T1D3
Surfaces and Interfaces17/54Q2T1D4
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# Autor Afiliación
1Dudeck, D.CSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS); Bergische Universitat Wuppertal (Spain)
2Yanguas-Gil, A.CSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS) (Spain)
3Yubero, F.CSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS) (Spain)
4Cotrino, J.Universidad de Sevilla; CSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS) (Spain)
5Espinós, J. P.CSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS) (Spain)
6de la Cruz, W.CSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS) (Spain)
7González-Elipe, A. R. CSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS) (Spain)