Scaling behavior and mechanism of formation of SiO2 thin films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Yanguas-Gil, A. ; Cotrino, J.; Walkiewicz-Pietrzykowska, A.; González-Elipe, A. R.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2007
Volumen: 76
Número: 7
Páginas: 075314-1 - 075314-8
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus2123-10-2021
wos1523-10-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año (SCIE): 2007

Factor de Impacto (SCIE): 3.172

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE9/61Q1T1D2

SJR año:

2007

Factor de Impacto:

2.892

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Condensed Matter Physics15/377Q1T1D1
Electronic, Optical and Magnetic Materials6/158Q1T1D1
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# Autor Afiliación
1Yanguas-Gil, A. Universidad de Sevilla; University of Illinois at Urbana-Champaign (United States)
2Cotrino, J.Universidad de Sevilla (Spain)
3Walkiewicz-Pietrzykowska, A.Universidad de Sevilla (Spain)
4González-Elipe, A. R.Universidad de Sevilla (Spain)