Atomic scale characterization of SiO2/4H-SiC interfaces in MOSFETs devices

Beltrán, A. M. ; Duguay, S.; Strenger, C.; Bauer, A. J.; Cristiano, F.; Schamm-Chardon, S.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2015
Volumen: 221
Páginas: 28 - 32
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus227-11-2021
wos227-11-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año (SCIE): 2015

Factor de Impacto (SCIE): 1.458

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE43/67Q3T2D7

Año:

2015

CiteScore:

3.600

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Materials Chemistry49/253Q1T1D2
Condensed Matter Physics99/401Q1T1D3
General Chemistry96/376Q2T1D3

SJR año:

2015

Factor de Impacto:

0.718

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Materials Chemistry54/257Q1T1D3
Chemistry (miscellaneous)107/418Q2T1D3
Condensed Matter Physics124/397Q2T1D4
No existen datos para la revista de esta publicación.
Agencia Código de Proyecto
ANR, France-
METSA French network-
Programme Inter Carnot Fraunhofer (PICF) from BMBF, Germany01SF0804
Robert Bosch GmbH-
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Beltrán, A. M. Universidad de Sevilla; Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (Spain)
2Duguay, S.Institut National Des Sciences Appliquées de Rouen Normandie (France)
3Strenger, C.Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB (Germany)
4Bauer, A. J.Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB (Germany)
5Cristiano, F.Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (France)
6Schamm-Chardon, S.Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (France)