Nano-Analytical and Electrical Characterization of 4H-SiC MOSFETs

Beltran, Ana M. ; Schamm-Chardon, Sylvie; Mortet, Vincent; Lefebvre, Matthieu; Bedel-Pereira, Elena; Cristiano, Fuccio; Strenger, Christian; Häublein, Volker; Bauer, Anton J.

Tipo: Ponencia
Año de Publicación: 2012
Volumen: 711
Páginas: 134 - +
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus227-11-2021
wos227-11-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año:

2012

CiteScore:

0.600

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
General Materials Science266/408Q3T2D7
Mechanical Engineering319/502Q3T2D7
Mechanics of Materials204/305Q3T3D7
Condensed Matter Physics312/387Q4T3D9

SJR año:

2012

Factor de Impacto:

0.279

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Materials Science (miscellaneous)255/502Q3T2D6
Mechanical Engineering293/535Q3T2D6
Mechanics of Materials201/321Q3T2D7
Condensed Matter Physics277/400Q3T3D7
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Agencia Código de Proyecto
ANR-
BMBF01SF0804
French-German Consortium MobiSiC-
Inter Carnot Fraunhofer (PICF)-
Robert Bosch GmbH-
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Beltran, Ana M. Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (France)
2Schamm-Chardon, SylvieUniversité Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (France)
3Mortet, VincentUniversité Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (France)
4Lefebvre, MatthieuUniversité Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (France)
5Bedel-Pereira, ElenaUniversité Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (France)
6Cristiano, FuccioUniversité Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (France)
7Strenger, ChristianFraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB (Germany)
8Häublein, VolkerFraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB (Germany)
9Bauer, Anton J.Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB (Germany)