Quantitative study of the interfacial intermixing and segregation effects across the wetting layer of Ga(As,Sb)-capped InAs quantum dots

Luna, Esperanza ; Beltrán, Ana M.; Sánchez, Ana M.; Molina, Sergio I.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2012
Volumen: 101
Número: 1
Páginas: 011601,1 - 011601,4
Acceso abierto: Vía verde
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus404-12-2021
wos404-12-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año (SCIE): 2012

Factor de Impacto (SCIE): 3.794

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, APPLIEDSCIE20/128Q1T1D2

Año:

2012

CiteScore:

6.700

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Physics and Astronomy (miscellaneous)5/39Q1T1D2

SJR año:

2012

Factor de Impacto:

2.570

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Physics and Astronomy (miscellaneous)13/243Q1T1D1
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Agencia Código de Proyecto
HEFCE Strategic Development Fund-
Junta de Andalucia (PAI research group TEP120)P08-TEP-03516
Science City Research Alliance-
Spanish MCITEC2008-06756-C03-02/TEC; TEC2011-29120-C05-03
UE-FEDER-
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Luna, Esperanza Paul Drude Institut fur Festkorperelektronik (Germany)
2Beltrán, Ana M.Universidad de Cadiz; CEMES Centre d'Elaboration de Matériaux et d'Etudes Structurales (Spain)
3Sánchez, Ana M.University of Warwick (United Kingdom)
4Molina, Sergio I.Universidad de Cadiz (Spain)