Comparison of 1700-V SiC-MOSFET and Si-IGBT Modules Under Identical Test Setup Conditions

Fuentes, CD ; Kouro, S; Bernet, S

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2019
Volumen: 55
Número: 6
Número de artículo: 8794536
Páginas: 7765 - 7775
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus2318-03-2023
wos2118-03-2023
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2019

Journal Impact Factor (JIF): 3,488

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
ENGINEERING, MULTIDISCIPLINARYSCIE19/91Q1T1D3
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE68/266Q2T1D3

Año: 2019

Journal Citation Indicator (JCI): 1,650

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC35/318Q1T1D289,15
ENGINEERING, MULTIDISCIPLINARY9/169Q1T1D194,97

Año:

2019

CiteScore:

7,400

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Industrial and Manufacturing Engineering30/340Q1T1D1
Control and Systems Engineering29/242Q1T1D2
Electrical and Electronic Engineering76/670Q1T1D2

SJR año:

2019

Factor de Impacto:

1,500

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering65/675Q1T1D1
Industrial and Manufacturing Engineering24/368Q1T1D1
Control and Systems Engineering32/251Q1T1D2
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Agencia Código de Proyecto
AC3ECONICYT/FB0008
ConicytCONICYT-PCHA/Doctorado Nacional/2015-21151279
DAAD-
FONDECYT1191532
SERCCONICYT/FONDAP/15110019
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor
1Fuentes, CD 
2Kouro, S
3Bernet, S