Ver Publicación - Prisma - Unidad de Bibliometría

Assessment of ionizing radiation hardness of a GaN field-effect transistor

Boas, Alexis C.Vilas; De Melo, M. A.A.; Santos, R. B.B.; Giacomini, R. C.; Medina, N. H.; Seixas, L. E.; Palomo, F. R.; Guazzelli, Marcilei A.

Tipo: Ponencia
Año de Publicación: 2019
Número de artículo: 8919340
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus423-03-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric
No exiten datos para esta publicación
# Autor Afiliación
1Boas, Alexis C.VilasCentro Universitário FEI (Brazil)
2De Melo, M. A.A.Centro Universitário FEI (Brazil)
3Santos, R. B.B.Centro Universitário FEI; Instituto Nacional de Ciencia e Tecnologia-Fisica Nuclear e Aplicacoes (INCT-FNA) (Brazil)
4Giacomini, R. C.Centro Universitário FEI (Brazil)
5Medina, N. H.Universidade de Sao Paulo - USP; Instituto Nacional de Ciencia e Tecnologia-Fisica Nuclear e Aplicacoes (INCT-FNA) (Brazil)
6Seixas, L. E.Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer (Brazil)
7Palomo, F. R.Universidad de Sevilla (Spain)
8Guazzelli, Marcilei A.Centro Universitário FEI; Instituto Nacional de Ciencia e Tecnologia-Fisica Nuclear e Aplicacoes (INCT-FNA) (Brazil)