TCAD Simulations on CMOS Propagation Induced Pulse Broadening Effect: Dependence Analysis on the Threshold Voltage

Mogollón, J. M. ; Palomo, F. R.; Aguirre, M. A.; Nápoles, J.; Guzman-Miranda, H.; García-Sánchez, E.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2010
Volumen: 57
Número: 4
Páginas: 1908 - 1914
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus704-12-2021
wos604-12-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año (SCIE): 2010

Factor de Impacto (SCIE): 1.524

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGYSCIE4/35Q1T1D2
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE71/247Q2T1D3

Año:

2011

CiteScore:

3.200

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering112/589Q1T1D2
Nuclear Energy and Engineering6/48Q1T1D2
Nuclear and High Energy Physics17/58Q2T1D3

SJR año:

2010

Factor de Impacto:

1.030

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering76/574Q1T1D2
Nuclear Energy and Engineering9/59Q1T1D2
Nuclear and High Energy Physics19/57Q2T1D4
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# Autor Afiliación
1Mogollón, J. M. Universidad de Sevilla (Spain)
2Palomo, F. R.Universidad de Sevilla (Spain)
3Aguirre, M. A.Universidad de Sevilla (Spain)
4Nápoles, J.Universidad de Sevilla (Spain)
5Guzman-Miranda, H.Universidad de Sevilla (Spain)
6García-Sánchez, E.Universidad de Sevilla (Spain)