Simulation of Total Ionising Dose in MOS capacitors

Fernández-Martínez, P.; Cortés, I.; Hidalgo, S.; Flores, D.; Palomo, F. R.

Tipo: Ponencia
Año de Publicación: 2011
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus1827-11-2021
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PlumX
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# Autor Afiliación
1Fernández-Martínez, P.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
2Cortés, I.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
3Hidalgo, S.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
4Flores, D.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
5Palomo, F. R.Universidad de Sevilla (Spain)