Simulation of total ionising dose on LDMOS devices for high energy physics applications

Fernández-Martínez, P.; Palomo, F. R.; Díez, S.; Hidalgo, S.; Ullán, M.; Flores, D.; Sorge, R.

Tipo: Ponencia
Año de Publicación: 2011
Páginas: 384 - 389
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus827-11-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric
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# Autor Afiliación
1Fernández-Martínez, P.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
2Palomo, F. R.Universidad de Sevilla (Spain)
3Díez, S.Lawrence Berkeley National Laboratory (United States)
4Hidalgo, S.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
5Ullán, M.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
6Flores, D.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
7Sorge, R.Institut fur innovative Mikroelektronik (IHP) (Germany)