Dissociation of Basal Dislocations in 4H-SiC Single Crystals Deformed Around the Transition Temperature

Castillo-Rodríguez, Miguel ; Lara, Ana; Muñoz, Antonio; Domínguez-Rodríguez, Arturo

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2013
Volumen: 96
Número: 9
Páginas: 2921 - 2925
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus027-11-2021
wos027-11-2021
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año (SCIE): 2013

Factor de Impacto (SCIE): 2.428

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
MATERIALS SCIENCE, CERAMICSSCIE1/25Q1T1D1

Año:

2013

CiteScore:

4.200

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Ceramics and Composites12/85Q1T1D2
Geology28/200Q1T1D2
Materials Chemistry32/240Q1T1D2
Geochemistry and Petrology27/103Q2T1D3

SJR año:

2013

Factor de Impacto:

1.160

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Ceramics and Composites12/91Q1T1D2
Materials Chemistry30/245Q1T1D2
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Agencia Código de Proyecto
Ministry of Education and Science (Government of Spain)MAT 2009-11078
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Castillo-Rodríguez, Miguel Universidad de Sevilla (Spain)
2Lara, AnaUniversidad de Sevilla (Spain)
3Muñoz, AntonioUniversidad de Sevilla (Spain)
4Domínguez-Rodríguez, ArturoUniversidad de Sevilla (Spain)